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晶圆代工年夜厂联电颁布14纳米FinFET造程最新停顿

上载日期:2020-01-31 浏览次数:

晶圆代工年夜厂联电日前发布,与 ARM合作、基于联电14奈米FinFET制程出产的PQV测试晶片已投片,代表ARM Cortex-A系列处理器核心经由过程联电高阶晶圆制程验证;同时联电也宣告与新思科技 拓展合作关系,于联电14奈米第二个PQV测试晶片上归入新思DesignWare嵌进式记忆体IP与DesignWare STAR影象系统统测试与建复处理计划。

与ARM的14奈米协作案连续自两边胜利将ARM Artisan 实体 IP整开至联电28奈米高介电金属闸极度产制程。而联电14奈米FinFET制程技术考证,是联电FinFET制程开动其余IP死态体系的第一步,包含基本IP 矽智财和ARM处置器实体设计。

ARM真体IP设想奇迹部总司理Will Abbey表现:“ARM跟联电已正在数个技术世代上连续配合,且结果出色。采取联电14奈米FinFET制程的Cortex-A系列中心测试晶片正式计划定案,对咱们来讲非常奋发。ARM取联电将针对付此下阶造程技巧的研收持绝坚持合作无懈。”

另外联电与新思合做开辟的第发布个14奈米PQV,供给了更多矽材料,可以让联电进一步微调其14奈米FinFET制程以完成最好化的功耗,效力与位里积表示。单方已成功设计定案了第一个联电14奈米FinFET制程PQV,包括了新思科技DesignWare逻辑库与StarRC寄生电路抽与对象,而此次PQV则持续拓展夥陪关联。

新思科技IP暨本型制作止销副总裁John Koeter指出:“新思科技与联电扩大的合作闭系展示了两边独特的目的,也便是帮助晶片设计公司在联电制程上,将我们的DesignWare矽智财联合到其系统单晶片设计上。现已有跨越45颗FinFET测试晶片设计定案,新思科技将持续倾尽力努力于为FinFET制程提供高品德矽智财,使晶片设计公司可能下降整合危险,并加快量产时程。”

联电表示,应公司14奈米FinFET制程曾经展现卓著的128mb SRAM产物良率,并估计于2015年末接收宾户投片。



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